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通过在二次合成法过程中适当过量乙酸镍的方法,成功制备了不含焦绿石相的0.66Pb(Ni1/3 Nb2/3) O3-0.34PbTiO3纯钙钛矿相弛豫铁电陶......
A new three-phase PZT/ C/ PVC composite comprising PZT (50vol%), nanocrystalline PVC (50 vol% ) and a small volume fract......
用传统固相反应法制备不同MgO含量的BST陶瓷,并研究MgO掺杂对BST陶瓷结构和性能的影响.MgO掺杂后陶瓷的XRD图谱显示存在单一的钙钛......
An Overview of Non-Volatile Flip-Flops Based on Emerging Memory Technologies An Overview of Non-Vola
Low power consumption is a major issue in nowadays electronics systems.This trend is pushed by the development of data c......
集成铁电体把铁电材料与集成半导体技术联合起来，以发展出一批新的电子器件。铁电薄膜在其中发挥着非挥发性记忆、热释电、压电、光......
利用准分子脉冲激光器在Pt/Ti/SiO2/Si（111）衬底上制备了Pb（Zr0.4Ti0.6）O3（PZT）铁电薄膜.利用掩膜技术,采用磁控溅射法在PZT薄膜上生长Pt......
用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上制备Pb1-xLaxTiO3(PLT,x≤0.2)薄膜,研究薄膜的结构及其介电、铁电性能.在600℃下退火1h......
采用Sol-Gel法,在Pt/TiO2/Si基片上制备了具有不同铅过量(0-20mol%)的PLZT铁电薄膜.分析了薄膜的晶相结构,研究了铅过量对PLZT铁电......
镁、锰同时掺杂的ＰＭＮ－ＰＺＮ－ＰＴ低烧陶瓷表现出明显的介电老化现象，恒温老化时，材料室温的介电常数及介电损耗随时间延长而下降，在室温下老化约１００ｈ后介......
测量了钛酸锶钡(Ba0.99Sr0.01TiO3)陶瓷在不同峰值方波电压作用下的脉冲反转信号.发现陶瓷中由于晶粒小,慢极化的反转速度快,使得......
从铁电薄膜和铁电颗粒两大方面回顾了处理尺寸效应的理论研究方法（包括宏观的热力学唯像理论、微观的横场Ising模型和第一性原理计......
以乙醇锂和乙醇钽为起始反应物,用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了新型钽酸锂LiTa3O8铁电薄膜.经XRD图谱对比,该薄膜结构......
